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锂离子电池保护电路中熔断器的实现原理       <<点击查看PDF文章
作者：AEM科技(苏州)有限公司应用工程师 铁生武
转载自《今日电子》2005年第4期

　

新型叠层多元陶瓷片式熔断器应用指南        << 点击查看PDF文章
作者：AEM科技(苏州)有限公司应用工程师 铁生武
转载自《世界电子元器件》2004年第11期

　

新型叠层多元陶瓷片式过流保护元件        << 点击查看PDF文章 
作者：AEM科技(苏州)有限公司
转载自《世界电子元器件》2004年第9期、《今日电子》2004年第10期

　

叠层型片式熔断器------AEM公司的专利
原文：新型无源元件的现状与发展(下)
摘自：《世界电子元器件》
原作者：王彦伶　陈福厚

叠层型片式熔断器，这是美国AEM公司的独家专利。它是用陶瓷叠层工艺将陶瓷膜和熔断导电带叠置共烧而形成的独石结构，相当于若干个熔断丝并联在一起，因而是目前承受能量密度最高的过电流保护元件，同样具有EIA标准的片式化系列。

　

表面贴装型熔断器
原文：电路保护元件的发展与应用
摘自：SMT信息网
原作者：张力 马存云
日期：2003-7-28  

AEM公司的叠层多元独石熔断器（USPatent6,034,589:MultilayerandMultielementMonolithicSurfaceFuse）,它是用AEM公司的UV专利工艺制造的陶瓷叠层元件，相当于将几个熔断丝并联，因而它具有体积小、能量密度大、独石结构可靠性高、精度高、响应速度快、易与其它元件集成等诸多优点，是目前世界上单位体积承受功率最大的SMT熔断器，其封装系列有0402/0603/0805/1206等。

片式电感器的先驱-----AEM公司
原文：芯片电感器性能与应用
摘自：中国电子网
原作者：毛兴武 蒋孝平 高洪民
日期：2000-5-26

    片式电感器主要生产厂商分布在日本、美国、韩国和台湾。美国的AEM公司是开发生产多层片式电感器（MLCI）的先驱，在工艺上有重大创新。目前商品化的MLCI以通用型为主，外形尺寸有1210、1206、0805和0603等规格，电感量从nH级到几十μH，额定电流从1mA到几百个mA，自谐振频率从数MHz到10GHz以上。  
    从九十年代初，中国陆续引进了3条MLCI生产线，其中深圳南虹电子陶瓷公司于1994年从AEM公司引进的生产线，目前MLCI、片式磁珠及片式LC组件的年生产能力已达8亿只。  
     在MLCI的制造工艺方面，日本TDK、村田和美国AEM是生产MLCI的巨商，拥有许多发明专利。MLCI的工艺方法主要有湿法和干法两类。
1.1 湿法工艺  
   目前比较成熟的湿法工艺主要有两种：  
   A. 通路形成法  
    该法为美国AEM公司的专利技术。大体工艺过程是：将低温型铁氧体浆料印制成膜片，在膜上印刷导线线圈（约四分之三周），再印刷同样尺寸的铁氧体膜，尔后用化学方法将铁氧体膜穿孔，使导体线圈裸露后，再印刷导体线圈，使之连接。依次按上述方法印刷多层导体线圈，烘干共烧，再制作端电极。MLCI的尺寸不同，导体线圈数量不同，铁氧体膜厚度及材料不同，MLCI的参数指标则各异。通路形成法是目前最先进的湿法工艺。  
   B.交迭印刷法  
    该法是利用丝网印刷工艺，在衬底上将铁氧体浆料印刷成铁氧体膜，再用银浆印刷约四分之三周的线圈，尔后印刷铁氧体膜，使一半区域上的二分之一周的导电银浆被铁氧体膜覆盖，再继续印刷四分之三周的银奖，与上次印刷的未被覆盖的银浆相连接，从而形成中间被铁氧体膜隔开的导体回路。按此过程，印刷所需层数的结构，经烘干、切割、倒角等工序，再在900℃以下共烧，制作端电极，即形成MLCI。
1.2干法工艺  
    此法主要是指流延穿孔法，采用陶瓷流延工艺，将加有粘合剂的低温型铁氧体浆料制成干膜片，再采用机械方法在设定位置打孔，尔后在膜片上印刷导电银浆（约四分之三周），并在通孔中也填满银浆。将印刷银浆的铁氧体干膜片精确对位叠层压制在一起，再切割成单个MLCI生坯，尔后去除粘合剂共烧，制作端电极。

专利技术的AEM叠层型片式电感器MLCI
原文：表面贴装电子元件发展综述
摘自：国际电子商情
日期：2002年02月18日

    叠层型片式电感器的技术含量较高，直至二十世纪90年代才真正达到规模化生产并被广泛应用。目前全球年需求量约300亿只(包含片式磁珠)。美国AEM、日本TDK、村田、太阳诱电等公司居于世界领先水平。尤其是AEM公司的内连接专利技术，构思巧妙，工艺简便，良品率高，可靠性好，成本低，而且适于制造微小型产品，如0402和0603。  
        近年来电子产品在高频化、高速化、微薄型化的推动下，MLCI主要向缩小体积、提高GHz频段性能、扩大生产规模、降低成本的方向发展。

　

 
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